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NXP USA Inc. PSMN035-100LS,115

Teilenummer:
PSMN035-100LS,115
Hersteller:
NXP USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt:
PSMN035-100LS,115.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 27A 8DFN
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PSMN035-100LS,115 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
NXP USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-VDFN Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
32mOhm @ 10A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
23 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1350 pF @ 50 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
8-DFN3333 (3.3x3.3)
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
65W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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