Der DMC3400SDW-13 integriert zwei unabhaengige Anreicherungs-MOSFETs entgegengesetzter Polaritaet in einem einzigen 6-poligen SOT-363 (SC-70-6) Umriss: Q1 ist ein 30V N-Kanal-Transistor mit 0,65A, und Q2 ist ein -30V P-Kanal mit -0,45A. Das Zusammenfassen komplementaerer Bauelemente in einem Gehaeuse halbiert die Bestueckungen und die Platinenflaeche in Gegentakt-, Pegelumsetzer- und Lastschalter-Schaltungen gegenueber zwei einzelnen Transistoren.

Das Paar ist darauf ausgelegt, den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ein hervorragendes Schaltverhalten beizubehalten. Der N-Kanal erreicht maximal 0,4Ω bei VGS=10V (0,7Ω bei 4,5V) und der P-Kanal 0,9Ω bei VGS=-10V (1,7Ω bei -4,5V), sodass beide bereits aus Logikpegel-Schienen angesteuert werden koennen. Die Gate-Source-Spannung haelt bei beiden Bauelementen ±20V stand, mit Schwellen von 0,8V bis 1,6V (N) und -0,8V bis -2,6V (P).

Beide Gates sind ESD-geschuetzt, eine praktische Absicherung waehrend der Montage und bei der Feldhandhabung von Kleinsignal-MOSFET-Schaltungen. Die beiden Transistoren sind elektrisch unabhaengig - Drains, Gates und Sources sind getrennt an gegenueberliegenden Gehaeuseecken herausgefuehrt - sodass die Schaltungstopologie vollstaendig dem Entwickler ueberlassen bleibt. Das Bauelement ist voellig bleifrei, halogen- und antimonfrei ("Green"), UL 94V-0 vergossen und wird auch mit AEC-Q100/101/104/200-konformen Fertigungsoptionen fuer Designs angeboten, die eine Beschaffung in Automobilqualitaet erfordern.

Hinweis: Vollstaendige elektrische Parameter und Kurven entnehmen Sie dem offiziellen Datenblatt von Diodes Incorporated zum DMC3400SDW. Aenderungen ohne Vorankuendigung vorbehalten; pruefen Sie alle Parameter vor dem endgueltigen Design.

Der DMC3400SDW-13 wird im SOT-363 (SC-70-6) vergossenen Kunststoffgehaeuse geliefert - ein 6-poliger oberflaechenmontierbarer Umriss mit einem Koerper von etwa 2,0mm x 1,25mm und ungefaehr 0,027g, der beide MOSFET-Chips beherbergt. Das Material ist "Green" Vergussmasse, UL 94V-0, mit NiPdAu-ueber-Kupfer-Anschlussfinish, loetbar gemaess MIL-STD-202 Methode 208.

Die Feuchteempfindlichkeit ist Level 1 (J-STD-020), sodass keine Trockenverpackungs-Handhabungsbeschraenkungen gelten. Der Bestellsuffix -13 bezeichnet 10.000 Einheiten auf 7-Zoll-Gurt und -Rolle fuer die automatisierte SMT-Bestueckung; das Bauelement ist voellig bleifrei und RoHS-konform, halogen- und antimonfrei.

Die beiden MOSFETs sind unabhaengig an gegenueberliegenden Ecken herausgefuehrt (Draufsicht, Pin 1 durch den Punkt markiert):

• Pin 1 - S1: Source von Q1 (N-Kanal).
• Pin 2 - G1: Gate von Q1 (N-Kanal).
• Pin 3 - D2: Drain von Q2 (P-Kanal).
• Pin 4 - S2: Source von Q2 (P-Kanal).
• Pin 5 - G2: Gate von Q2 (P-Kanal).
• Pin 6 - D1: Drain von Q1 (N-Kanal).

Q1 (N) belegt also die Pins 1-2-6 und Q2 (P) die Pins 3-4-5; die beiden Drains sind nicht intern verbunden, sodass die Topologie frei bleibt. Bestaetigen Sie die genaue Pinbelegung anhand des Datenblattbildes unten vor dem Layout.

Die folgenden komplementaeren MOSFET-Paare sind als Referenz aufgefuehrt. Pruefen Sie Spannung, Strom, RDS(on), Gate-Bewertungen und Pinbelegung vor dem Ersatz.

Diodes Incorporated (NASDAQ: DIOD) mit Hauptsitz in Plano, Texas, USA, ist ein fuehrender Anbieter von diskreten, Logik- und Analog-Halbleitern, mit besonderer Staerke bei Kleinsignal-MOSFETs, Dioden und der Gehaeuse-Miniaturisierung. Seine komplementaeren MOSFET-Paare werden in der Konsumelektronik, Industrie- und Automobilelektronik breit eingesetzt, mit AEC-qualifizierten Fertigungsablaeufen und nach IATF 16949 zertifizierten Standorten, die fuer die DMC-Familie verfuegbar sind.

Diodes Incorporated stellt vollstaendige Datenblaetter, PPAP-Faehigkeit auf Anfrage und langfristige Lieferung bereit, mit autorisiertem Vertrieb und technischer Unterstuetzung in ganz China sowohl fuer Prototypen- als auch fuer Serienprogramme.