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Infineon Technologies IPD90N06S4L03ATMA2

Teilenummer:
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt:
IPD90N06S4L03ATMA2.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
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IPD90N06S4L03ATMA2 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
3.5mOhm @ 90A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
170 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13000 pF @ 25 V
Qualifizierung:
AEC-Q101
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
PG-TO252-3-11
Klasse:
Automotive
Leistungsverlust (Max):
150W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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