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Entlarvung der Wunder des MMBF170LT1 - Transistors

Unraveling the Wonders of MMBF170LT1 Transistor
Teilenummer:
MMBF170LT1
Hersteller:
onsemi
Verpackung:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
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Artikeldetails

Der MMBF170LT1 ist ein bemerkenswerter Transistor, der sich in der Welt der elektronischen Komponenten einen Namen gemacht hat. Dieses winzige, aber leistungsstarke Gerät ist mit Präzision konstruiert, um in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen eine herausragende Leistung zu erbringen.

Elektrische Eigenschaften

Eines der wichtigsten Merkmale des MMBF170LT1 sind seine hervorragenden Verstärkungseigenschaften. Er bietet einen hohen Stromverstärkungsfaktor, was für die Verstärkung schwacher elektrischer Signale von entscheidender Wichtigkeit ist. Dies macht ihn zu einer idealen Wahl für Anwendungen wie die Audioverstärkung in kleinen Geräten wie tragbaren Radios oder Kopfhörern. Der Transistor zeigt auch niedrige Geräuschebenen, was gewährleistet, dass die verstärkten Signale sauber bleiben und frei von unerwünschten Störungen sind. Dies ist insbesondere in empfindlichen Signalverarbeitungssystemen von größter Wichtigkeit, in denen die Integrität des Signals oberste Priorität hat.

Was die Spannungsbearbeitung betrifft, ist der MMBF170LT1 so konzipiert, dass er innerhalb eines bestimmten Spannungsbereichs betrieben werden kann. Dies ermöglicht einen stabilen Betrieb in Schaltungen mit genau definierten Stromversorgungsanforderungen. Seine Fähigkeit, eine bestimmte Kollektor - Emitter - Spannung zu verarbeiten, gewährleistet, dass er in Schaltungen eingesetzt werden kann, in denen es erforderlich ist, relativ hohe Spannungssignale umzuschalten oder zu steuern.

Physikalische und Verpackungseigenschaften

Der MMBF170LT1 kommt in einem kompakten Flachbaugerät. Dieser kleine Bauraum spart nicht nur wertvolle Fläche auf Leiterplatten (PCBs), sondern macht ihn auch für moderne, miniaturisierte elektronische Geräte geeignet. Die Verpackung ist auch so konzipiert, dass sie eine gute Wärmeableitung gewährleistet, was dazu beiträgt, die Leistung des Transistors auch bei ständigem Betrieb und in Umgebungen, in denen eine Wärmeakkumulation ein Problem sein könnte, aufrechtzuerhalten.

Anwendungen

Aufgrund seiner elektrischen und physikalischen Eigenschaften findet der MMBF170LT1 breite Verwendung im Bereich der Konsumelektronik. Er kann in Mobiltelefonen gefunden werden, wo er in den HF - (Hochfrequenz) Front - End - Schaltungen zur Signalverstärkung und -filterung eingesetzt wird. Darüber hinaus wird er häufig in batteriebetriebenen Geräten verwendet, um seine Eigenschaften des geringen Stromverbrauchs zu nutzen und so die Batterielaufzeit dieser Geräte zu verlängern.

Auch industrielle Anwendungen profitieren von dem MMBF170LT1. In Steuerungssystemen kann er als Schalter eingesetzt werden, um den Stromfluss in verschiedenen Teilen der Schaltung zu steuern. Seine Zuverlässigkeit und gleichbleibende Leistung machen ihn zu einem vertrauenswürdigen Bauteil in diesen anspruchsvollen industriellen Umgebungen.

Zusammenfassend ist der MMBF170LT1 - Transistor eine vielseitige und zuverlässige elektronische Komponente, die weiterhin eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung und Entwicklung eines breiten Spektrums von elektronischen Geräten spielt. Die einzigartige Kombination seiner elektrischen Eigenschaften, des kompakten Gehäuses und seiner Eignung für verschiedene Anwendungen macht ihn zu einer Lieblingsauswahl von Technikern und Designern.

MMBF170LT1 Spezifikationen

Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
60 pF @ 10 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
225mW (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
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