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Nexperia USA Inc. PSMN1R9-40YSDX

Teilenummer:
PSMN1R9-40YSDX
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
SC-100, SOT-669
Datenblatt:
PSMN1R9-40YSDX.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
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PSMN1R9-40YSDX Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
TrenchMOS™
Verpackung/Gehäuse:
SC-100, SOT-669
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
1.9mOhm @ 25A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
80 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6198 pF @ 20 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
Schottky Diode (Body)
Lieferant Gerätepaket:
LFPAK56, Power-SO8
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
194W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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