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NovuSem NC1M120C75GTNG

Teilenummer:
NC1M120C75GTNG
Hersteller:
NovuSem
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-247-3
Datenblatt:
NC1M120C75GTNG.pdf
Beschreibung:
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3
Menge:

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NC1M120C75GTNG Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
NovuSem
Serie:
NC1M
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 20A, 20V
Montageart:
Through Hole
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1450 pF @ 1000 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-247-3L
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
288W (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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