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Diodes Incorporated DMG6602SVT-7

Teilenummer:
DMG6602SVT-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt:
DMG6602SVT-7.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Menge:

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DMG6602SVT-7 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Not For New Designs
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
3.4A, 2.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
13nC @ 10V
FET-Funktion:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
400pF @ 15V
Leistung – Max:
840mW
Lieferant Gerätepaket:
TSOT-26
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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