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onsemi FCP190N65S3R0

Teilenummer:
FCP190N65S3R0
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-220-3
Datenblatt:
FCP190N65S3R0.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
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FCP190N65S3R0 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
SuperFET® III
Verpackung/Gehäuse:
TO-220-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 8.5A, 10V
Montageart:
Through Hole
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 1.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
33 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1350 pF @ 400 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-220-3
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
144W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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