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Nexperia USA Inc. PMDXB550UNEZ

Teilenummer:
PMDXB550UNEZ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
6-XFDFN Exposed Pad
Datenblatt:
PMDXB550UNEZ.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
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PMDXB550UNEZ Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-XFDFN Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
590mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
670mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
1.05nC @ 4.5V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
30.3pF @ 15V
Leistung – Max:
285mW
Lieferant Gerätepaket:
DFN1010B-6
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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