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Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1

Teilenummer:
IPG20N10S4L22ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-PowerVDFN
Datenblatt:
IPG20N10S4L22ATMA1.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Menge:

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IPG20N10S4L22ATMA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerVDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
27nC @ 10V
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1755pF @ 25V
Leistung – Max:
60W
Lieferant Gerätepaket:
PG-TDSON-8-4
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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