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Nexperia USA Inc. PMDT290UNE,115

Teilenummer:
PMDT290UNE,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
SOT-563, SOT-666
Datenblatt:
PMDT290UNE,115.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
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PMDT290UNE,115 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
TrenchMOS™
Verpackung/Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Not For New Designs
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
800mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
0.68nC @ 4.5V
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
83pF @ 10V
Leistung – Max:
500mW
Lieferant Gerätepaket:
SOT-666
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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