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GE Aerospace GE17042CCA3

Teilenummer:
GE17042CCA3
Hersteller:
GE Aerospace
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
Module
Datenblatt:
GE17042CCA3.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULE
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GE17042CCA3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
GE Aerospace
Serie:
SiC Power
Verpackung/Gehäuse:
Module
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
2 N-Channel (Half Bridge)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1700V (1.7kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
425A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
4.45mOhm @ 425A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 160mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
1207nC @ 18V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
29100pF @ 900V
Leistung – Max:
1250W
Lieferant Gerätepaket:
Module
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Montageart:
Chassis Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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