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onsemi FDC6301N

Teilenummer:
FDC6301N
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt:
FDC6301N.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
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FDC6301N Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
25V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
220mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
0.7nC @ 4.5V
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
9.5pF @ 10V
Leistung – Max:
700mW
Lieferant Gerätepaket:
SuperSOT™-6
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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