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STMicroelectronics STGB30M65DF2

Teilenummer:
STGB30M65DF2
Hersteller:
STMicroelectronics
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Verpackung:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt:
STGB30M65DF2.pdf
Beschreibung:
IGBT TRENCH FS 650V 60A TO263
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STGB30M65DF2 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
STMicroelectronics
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
IGBT-Typ:
Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
650 V
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
120 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
2V @ 15V, 30A
Leistung – Max:
258 W
Montageart:
Surface Mount
Schaltenergie:
300µJ (on), 960µJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
60 A
Gate-Ladung:
80 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
31.6ns/115ns
Qualifizierung:
-
Testbedingung:
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Lieferant Gerätepaket:
TO-263 (D2PAK)
Klasse:
-
Sperrerholungszeit (trr):
140 ns
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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