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onsemi MMBT5551LT1G

Teilenummer:
MMBT5551LT1G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Einzelne Bipolartransistoren
Verpackung:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt:
MMBT5551LT1G.pdf
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
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MMBT5551LT1G Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
600 mA
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
100nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Leistung – Max:
225 mW
Frequenz - Übergang:
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
160 V
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Kategorie:
Einzelne Bipolartransistoren
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