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Texas Instruments CSD85301Q2

Teilenummer:
CSD85301Q2
Hersteller:
Texas Instruments
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt:
CSD85301Q2.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Menge:

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CSD85301Q2 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Texas Instruments
Serie:
NexFET™
Verpackung/Gehäuse:
6-WDFN Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
27mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
5.4nC @ 4.5V
FET-Funktion:
Logic Level Gate, 5V Drive
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
469pF @ 10V
Leistung – Max:
2.3W
Lieferant Gerätepaket:
6-WSON (2x2)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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