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Advanced Linear Devices Inc. ALD114913SAL

Teilenummer:
ALD114913SAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
ALD114913SAL.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
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ALD114913SAL Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Serie:
EPAD®
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Drain-Source-Spannung (Vdss):
10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
12mA, 3mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
500Ohm @ 2.7V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.26V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
FET-Funktion:
Depletion Mode
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2.5pF @ 5V
Leistung – Max:
500mW
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Betriebstemperatur:
0°C ~ 70°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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