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Goford Semiconductor 18N10

Teilenummer:
18N10
Hersteller:
Goford Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt:
18N10.pdf
Beschreibung:
N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
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18N10 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Goford Semiconductor
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Verpackung:
Cut Tape (CT)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
53mOhm @ 10A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2161 pF @ 50 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-252
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
80W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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