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Goford Semiconductor 1002

Teilenummer:
1002
Hersteller:
Goford Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt:
1002.pdf
Beschreibung:
N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2
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1002 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Goford Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung:
Cut Tape (CT)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2A
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
250mOhm @ 2A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
10 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
387 pF @ 10 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
SOT-23
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
1.3W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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