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Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19MT050XF

Teilenummer:
19MT050XF
Hersteller:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
16-MTP Module
Datenblatt:
19MT050XF.pdf
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 500V 31A 16MTP
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19MT050XF Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie:
HEXFET®
Verpackung/Gehäuse:
16-MTP Module
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
4 N-Channel (Full Bridge)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
500V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
31A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
220mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
160nC @ 10V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7210pF @ 25V
Leistung – Max:
1140W
Lieferant Gerätepaket:
16-MTP
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Chassis Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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