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Toshiba Semiconductor and Storage TTD1409B,S4X

Teilenummer:
TTD1409B,S4X
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kategorie:
Einzelne Bipolartransistoren
Verpackung:
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt:
TTD1409B,S4X.pdf
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 400V 6A TO-220SIS
Menge:

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TTD1409B,S4X Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-220-3 Full Pack
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
6 A
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
2V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
20µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
600 @ 2A, 2V
Leistung – Max:
2 W
Frequenz - Übergang:
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
400 V
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-220SIS
Kategorie:
Einzelne Bipolartransistoren
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