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Vishay Siliconix SUD50N03-16P-GE3

Teilenummer:
SUD50N03-16P-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt:
SUD50N03-16P-GE3.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V TO252
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SUD50N03-16P-GE3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
15A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 15A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
13 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1150 pF @ 25 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-252AA
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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