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Rohm Semiconductor RRS100P03HZGTB

Teilenummer:
RRS100P03HZGTB
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
RRS100P03HZGTB.pdf
Beschreibung:
PCH -30V -10A POWER MOSFET. RRS1
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RRS100P03HZGTB Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
12.6mOhm @ 10A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
39 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3600 pF @ 10 V
Qualifizierung:
AEC-Q101
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
8-SOP
Klasse:
Automotive
Leistungsverlust (Max):
2W (Ta)
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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