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Rohm Semiconductor R6007JNXC7G

Teilenummer:
R6007JNXC7G
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt:
R6007JNXC7G.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
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R6007JNXC7G Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-220-3 Full Pack
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
780mOhm @ 3.5A, 15V
Montageart:
Through Hole
Vgs(th) (Max) @ Id:
7V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
17.5 nC @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
475 pF @ 100 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-220FM
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
46W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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