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onsemi NXH010P120MNF1PNG

Teilenummer:
NXH010P120MNF1PNG
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
Module
Datenblatt:
NXH010P120MNF1PNG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Menge:

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NXH010P120MNF1PNG Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
Module
Verpackung:
Tray
Produktstatus:
Active
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
114A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
454nC @ 20V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4707pF @ 800V
Leistung – Max:
250W (Tj)
Lieferant Gerätepaket:
-
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart:
Chassis Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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