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onsemi NVMFD5C650NLWFT1G

Teilenummer:
NVMFD5C650NLWFT1G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-PowerTDFN
Datenblatt:
NVMFD5C650NLWFT1G.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Menge:

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NVMFD5C650NLWFT1G Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerTDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 98µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
16nC @ 4.5V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2546pF @ 25V
Leistung – Max:
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Lieferant Gerätepaket:
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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