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Infineon Technologies IPB100N04S4H2ATMA1

Teilenummer:
IPB100N04S4H2ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt:
IPB100N04S4H2ATMA1.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
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IPB100N04S4H2ATMA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
2.4mOhm @ 100A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 70µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
90 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7180 pF @ 25 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
PG-TO263-3-2
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
115W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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