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onsemi HUF76619D3ST

Teilenummer:
HUF76619D3ST
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt:
HUF76619D3ST.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
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HUF76619D3ST Spezifikationen

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  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
UltraFET™
Verpackung/Gehäuse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
85mOhm @ 18A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
767 pF @ 25 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-252AA
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
75W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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