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Goford Semiconductor G040P04M

Teilenummer:
G040P04M
Hersteller:
Goford Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt:
G040P04M.pdf
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 180A TO-263
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G040P04M Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Goford Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
3.5mOhm @ -15A,- 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
206 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14983 pF @ -20 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-263
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
178W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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