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Goford Semiconductor G01N20LE

Teilenummer:
G01N20LE
Hersteller:
Goford Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt:
G01N20LE.pdf
Beschreibung:
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
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G01N20LE Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Goford Semiconductor
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
700mOhm @ 1A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
580 pF @ 25 V
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
SOT-23-3
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
1.5W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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