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EPC EPC2103

Teilenummer:
EPC2103
Hersteller:
EPC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
Die
Datenblatt:
EPC2103.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
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EPC2103 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
EPC
Serie:
eGaN®
Verpackung/Gehäuse:
Die
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration:
2 N-Channel (Half Bridge)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
80V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
28A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
6.5nC @ 5V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
760pF @ 40V
Leistung – Max:
-
Lieferant Gerätepaket:
Die
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Alle Waren werden einer Inspektion vor der Lieferung (PSI) unterzogen. Vor der Lieferung werden aus allen Chargen Ihrer Bestellung zufällig ausgewählte Waren systematisch inspiziert. Wenn es Probleme mit der von uns gelieferten EPC2103 gibt, werden wir die Rücksendung oder den Austausch von EPC2103 nur dann akzeptieren, wenn alle folgenden Bedingungen erfüllt sind:

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(1) Informieren Sie uns innerhalb von 90 Tagen.

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