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Diodes Incorporated DMTH6006LPSWQ-13

Teilenummer:
DMTH6006LPSWQ-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
8-PowerTDFN
Datenblatt:
DMTH6006LPSWQ-13.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
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DMTH6006LPSWQ-13 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerTDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
17.2A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
6.5mOhm @ 20A, 10V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
34.9 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2162 pF @ 30 V
Qualifizierung:
AEC-Q101
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
PowerDI5060-8 (Type Q)
Klasse:
Automotive
Leistungsverlust (Max):
2.88W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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