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Cambridge GaN Devices CGD65A130SH2

Teilenummer:
CGD65A130SH2
Hersteller:
Cambridge GaN Devices
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
16-PowerVDFN
Datenblatt:
CGD65A130SH2.pdf
Beschreibung:
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
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CGD65A130SH2 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Cambridge GaN Devices
Serie:
ICeGaN™
Verpackung/Gehäuse:
16-PowerVDFN
Verpackung:
Cut Tape (CT)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
GaNFET (Gallium Nitride)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
12A
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
182mOhm @ 900mA, 12V
Montageart:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.2V @ 4.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
1.9 nC @ 12 V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
+20V, -1V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
16-DFN (8x8)
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
-
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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