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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD62666E

Teilenummer:
AOSD62666E
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
AOSD62666E.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
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AOSD62666E Spezifikationen

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  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
9.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
10nC @ 4.5V
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
755pF @ 30V
Leistung – Max:
2.5W (Ta)
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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