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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3868

Teilenummer:
AOC3868
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
6-XDFN
Datenblatt:
AOC3868.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 6DFN
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AOC3868 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-XDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Not For New Designs
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain-Source-Spannung (Vdss):
-
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
50nC @ 4.5V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
2.5W
Lieferant Gerätepaket:
6-DFN (2.7x1.8)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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