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Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL

Teilenummer:
ALD212900PAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt:
ALD212900PAL.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
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ALD212900PAL Spezifikationen

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  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Serie:
EPAD®, Zero Threshold™
Verpackung/Gehäuse:
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Drain-Source-Spannung (Vdss):
10.6V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
80mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
14Ohm
Vgs(th) (Max) @ Id:
20mV @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
30pF @ 5V
Leistung – Max:
500mW
Lieferant Gerätepaket:
8-PDIP
Betriebstemperatur:
0°C ~ 70°C (TJ)
Montageart:
Through Hole
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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