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APSEMI AC2M0280120D

Teilenummer:
AC2M0280120D
Hersteller:
APSEMI
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Verpackung:
TO-247-3
Datenblatt:
AC2M0280120D.pdf
Beschreibung:
SIC MOSFET N-CH 1200V 11A TO247-
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AC2M0280120D Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
APSEMI
Serie:
*
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
11A
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
370mOhm @ 6A, 20V
Montageart:
Through Hole
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1.25mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Qualifizierung:
-
FET-Funktion:
-
Lieferant Gerätepaket:
TO-247-3
Klasse:
-
Leistungsverlust (Max):
69.4W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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