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Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06DCR RLG

Teilenummer:
TSM300NB06DCR RLG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-PowerTDFN
Datenblatt:
TSM300NB06DCR RLG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
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TSM300NB06DCR RLG Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerTDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
6A (Ta), 25A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
17nC @ 10V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1079pF @ 30V
Leistung – Max:
2W (Ta), 40W (Tc)
Lieferant Gerätepaket:
8-PDFN (5x6)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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