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Kioxia America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6

Teilenummer:
TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller:
Kioxia America, Inc.
Kategorie:
Speicher
Verpackung:
67-VFBGA
Datenblatt:
TH58BYG2S3HBAI6.pdf
Beschreibung:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
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TH58BYG2S3HBAI6 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Kioxia America, Inc.
Serie:
Benand™
Verpackung/Gehäuse:
67-VFBGA
Verpackung:
Tray
Produktstatus:
Active
Programmierbar:
Not Verified
Speichertyp:
Non-Volatile
Technologie:
FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße:
4Gbit
Speicherorganisation:
512M x 8
Lieferant Gerätepaket:
67-VFBGA (6.5x8)
Speicherschnittstelle:
Parallel
Taktfrequenz:
-
Speicherformat:
FLASH
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:
25ns
Zugriffszeit:
25 ns
Montageart:
Surface Mount
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.95V
Qualifizierung:
-
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 85°C (TA)
Klasse:
-
Kategorie:
Speicher
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