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Infineon Technologies IRF7341TRPBF

Teilenummer:
IRF7341TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
IRF7341TRPBF.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
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IRF7341TRPBF Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
HEXFET®
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
55V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
36nC @ 10V
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
740pF @ 25V
Leistung – Max:
2W
Lieferant Gerätepaket:
8-SO
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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