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Goford Semiconductor GT060N04D52

Teilenummer:
GT060N04D52
Hersteller:
Goford Semiconductor
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Verpackung:
8-PowerTDFN
Datenblatt:
GT060N04D52.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
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GT060N04D52 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Goford Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerTDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):
40V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
62A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
6.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
44nC @ 10V
FET-Funktion:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1276pF @ 20V
Leistung – Max:
20W (Tc)
Lieferant Gerätepaket:
8-DFN (4.9x5.75)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart:
Surface Mount
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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