Der DS1210 von Dallas Semiconductor (heute Teil von Analog Devices über Maxim) ist ein Nichtflüchtig-Controller, der gewöhnliches CMOS-Static-RAM in nichtflüchtigen Speicher verwandelt. DS1210+ ist die RoHS-konforme ("+") 8-Pin-DIP-Version. Zwischen System-VCC, Batterie und dem Chip-Enable des SRAM verdrahtet, erspart er ein spezielles nichtflüchtiges Speicherbauteil.

Seine Kernfunktion ist die Spannungsüberwachung mit Schreibschutz. Der DS1210 überwacht VCC ständig gegen einen präzisen Schaltpunkt (typisch 4,62 V im 5%-Modus, am TOL-Pin gewählt). Solange VCC in Toleranz ist, folgt der Chip-Enable-Ausgang /CEO einfach dem /CE-Eingang mit wenigen Nanosekunden Verzögerung, und das SRAM arbeitet normal. Sobald VCC aus der Toleranz fällt, schreibschützt der DS1210 das SRAM bedingungslos, indem er /CEO unabhängig von /CE auf High (inaktiv) zwingt, sodass keine Störschreibvorgänge die Daten beim Zusammenbruch der Schiene beschädigen.

Gleichzeitig handhabt er die Batterieumschaltung. Unter dem Schaltpunkt schaltet der Chip die RAM-Versorgung (VCCO) von VCCI auf die höhere zweier Batterieeingänge (VBAT1, VBAT2) mit geringem Durchlassabfall. Zwei Batterieeingänge erlauben redundante Pufferung; der DS1210 wählt automatisch die höhere und testet den Batteriezustand beim Einschalten. In der Pufferung verbraucht er unter 100 nA aus der Batterie, sodass eine kleine Zelle Daten jahrelang hält. Bei Rückkehr der Spannung wartet er eine Erholungszeit (etwa 2 bis 125 ms) und beendet einen laufenden Speicherzyklus, bevor er Schreibzugriffe wieder freigibt - das garantiert Datenintegrität.

Hinweis: Die Werte stammen aus dem Dallas/Maxim DS1210 Datenblatt. Prüfen Sie jeden Parameter anhand der aktuellen offiziellen Dokumentation, bevor Sie ein Design festlegen.

DS1210+ wird im 8-Pin DIP (300 mil PDIP) geliefert; das "+" kennzeichnet das RoHS-konforme bleifreie Finish. Der gleiche DS1210 wird auch im 16-Pin SOIC für SMD angeboten. Platzieren Sie den Controller zwischen System-VCC (VCCI), Batterie und SRAM, halten Sie die VCCO-Leitung zum RAM kurz und entkoppeln Sie VCCI nahe am Pin. Gehäuseabmessungen und Pin-1-Orientierung sind unten dargestellt.

📄 Vollständige Spezifikationen siehe offizielles Dallas/Maxim DS1210 Datenblatt.

Das 8-Pin-DIP führt die Spannungsüberwachung, Batterie und Chip-Enable heraus:

• Pin 1 - VCCO: Versorgungsausgang zum RAM (VCCI oder Batterie).
• Pin 2 - VBAT1: Batterie-1-Eingang (+).
• Pin 3 - TOL: Toleranzwahl (GND = 5%, VCCO = 10%).
• Pin 4 - GND: Masse.
• Pin 5 - /CE: Chip-Enable-Eingang vom System (aktiv Low).
• Pin 6 - /CEO: Chip-Enable-Ausgang zum RAM (aktiv Low, schreibgeschützt bei VCC-Ausfall).
• Pin 7 - VBAT2: Batterie-2-Eingang (+); redundante Pufferung.
• Pin 8 - VCCI: +5-V-Versorgungseingang.

Die physische Pinnummerierung des 8-Pin-DIP entnehmen Sie der Gehäusezeichnung unten.

Die folgenden Bauteile sind verwandte Dallas/Maxim Nichtflüchtig- und Batteriepuffer-ICs aus unserem Katalog. Nicht alle sind direkte Ersatztypen; prüfen Sie Funktion, Pinbelegung und Batteriekonzept vor einem Ersatz.

Auswahlhinweise: Beim DS1210 bleiben, um ein externes SRAM in einem kleinen 8-Pin-DIP nichtflüchtig zu machen. Der DS1211 steuert zwei RAMs; die SmartSocket-/SmartWatch-Module DS1213B/DS1216B integrieren Batterie (und Uhr). Der DS1245AB vereint RAM und Controller; der DS1302 deckt batteriegepufferte Zeitmessung statt RAM ab.

Dallas Semiconductor, heute über Maxim Integrated Teil von Analog Devices, schuf die DS-Serie der Nichtflüchtig- und Zeitmess-Controller, die zum Industriestandard für batteriegepufferten Speicher wurden. Der DS1210 ist der klassische Nichtflüchtig-Controller, weit verbreitet, um CMOS-SRAM den Datenerhalt nichtflüchtigen Speichers zu geben.

Das Bauteil wird durch vollständige Datenblatt-Charakterisierung und Applikationshinweise zu Schaltpunktwahl, Batteriedimensionierung und SRAM-Anbindung gestützt - die Details, die entscheiden, ob gespeicherte Daten jahrelange Power-Zyklen überleben.