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onsemi AFGB40T65RQDN

Teilenummer:
AFGB40T65RQDN
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Verpackung:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt:
AFGB40T65RQDN.pdf
Beschreibung:
IGBT FIELD STOP 650V 68A TO263
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AFGB40T65RQDN Spezifikationen

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  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
IGBT-Typ:
Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
650 V
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
160 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
1.82V @ 15V, 40A
Leistung – Max:
339.37 W
Montageart:
Surface Mount
Schaltenergie:
470µJ (on), 420µJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
68 A
Gate-Ladung:
51 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
21ns/77ns
Qualifizierung:
-
Testbedingung:
400V, 20A, 3Ohm, 15V
Lieferant Gerätepaket:
TO-263 (D2PAK)
Klasse:
-
Sperrerholungszeit (trr):
52 ns
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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