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Global Power Technology-GPT G3S06504C

Teilenummer:
G3S06504C
Hersteller:
Global Power Technology-GPT
Kategorie:
Einzeldioden
Verpackung:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt:
G3S06504C.pdf
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252
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G3S06504C Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Global Power Technology-GPT
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Verpackung:
Produktstatus:
Active
Technologie:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max):
650 V
Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If:
1.7 V @ 4 A
Geschwindigkeit:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrerholungszeit (trr):
0 ns
Strom - Sperrleck @ Vr:
50 µA @ 650 V
Kapazität @ Vr, F:
181pF @ 0V, 1MHz
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io):
11.5A
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TO-252
Betriebstemperatur - Sperrschicht:
-55°C ~ 175°C
Kategorie:
Einzeldioden
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